愛(ài)普生有源晶振為儀器設(shè)備提供便捷X1G005581004300，愛(ài)普生晶振公司是一家非常具有創(chuàng)新能力的制造商，憑著自身在晶體行業(yè)幾十年的經(jīng)驗(yàn)，以及對(duì)于產(chǎn)品本身有著獨(dú)特的見(jiàn)解，能夠快速針對(duì)用戶(hù)的需求開(kāi)發(fā)出適合的晶振產(chǎn)品，同時(shí)為市場(chǎng)提供高性能的有源晶振，隨之能力的增長(zhǎng)，推出SG-8018CB晶振，編碼X1G005581004300，頻率26.000000兆赫，輸出WaveCMOS，電源電壓1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)5.00 x 3.20 x 1.30 mm，工作溫度-40至+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /OSC類(lèi)型可編程時(shí)鐘OSC，這是一款CMOS輸出晶振，帶電壓晶振，石英晶體振蕩器，具備高精度，低電壓，低抖動(dòng)之特點(diǎn)，是儀器設(shè)備，智能家居，5G模塊，智能音響等應(yīng)用的最佳選擇。

伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在石英晶振元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛(ài)普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過(guò)上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來(lái)而竭誠(chéng)奉獻(xiàn). 

Product Number	Model	Frequency	醫(yī)療電子專(zhuān)用晶振	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005581002600	SG-8018CB	12.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581002700	SG-8018CB	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581002800	SG-8018CB	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581002900	SG-8018CB	27.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003000	SG-8018CB	27.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003100	SG-8018CB	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003200	SG-8018CB	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003300	SG-8018CB	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003400	SG-8018CB	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003500	SG-8018CB	14.745600 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003600	SG-8018CB	14.745600 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003700	SG-8018CB	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003800	SG-8018CB	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003900	SG-8018CB	33.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004000	SG-8018CB	33.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004100	SG-8018CB	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004200	SG-8018CB	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004300	SG-8018CB	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004400	SG-8018CB	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004500	SG-8018CB	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm